罗姆的高压（600v～）功率mosfet产品采用了超级结技术。 该技术实现了高速开关和低导通电阻，可以减少应用损耗。罗姆有低噪声和高速开关两类产品，可以根据客户的需求进行提案。此外，prestomos™系列采用了罗姆的专利技术，内置了快速二极管，有助于电机和逆变器等节能。
推荐使用罗姆的super junction-mosfet的三个理由
- ①根据客户需求提供三种产品系列
- ②每种系列提供丰富的导通电阻和封装阵容
- ③高性能、高品质、完善的支持体制
[新系列]
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的
600v耐压超级结 mosfet “r60xxrnx系列”
rohm在其600v耐压super junction mosfet“prestomos™”产品阵容中，又新增“r60xxrnx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。
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[新系列]
同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的
600v耐压超级结 mosfet “r60xxvnx系列”
rohm的600v耐压super junction mosfet“prestomos™”拥有业界超快的反向恢复时间，非常适用于电动汽车充电桩、服务器和基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等白色家电的电机驱动，此次，又新增了支持大功率应用的“r60xxvnx系列”7款机型。
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[新封装]
有助于照明电源、电泵、电机等应用的小型化和薄型化！
采用sot-223-3小型封装的600v耐压super junction mosfet
rohm通过改进内置芯片的形状，在不牺牲以往产品性能的前提下开发出5款更小更薄的sot-223-3封装新产品。
与以往to-252封装（6.60mm×10.00mm×2.30mm）的产品相比，新产品的面积减少约31%，厚度减少约27%，有助于实现更小、更薄的应用产品。
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罗姆的super junction-mosfet
●更宽的耐压范围和更低的导通电阻
| 500mω ≤ ron typ. | 500mω ＞ ron typ. | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| active | active | |||||
| 800v | r80xxknx | r80xxknx | ||||
| 650v | r65xxenx r65xxknx | r65xxenx | under planning |
|||
| 600v | r60xxenx | under development |
r60xxenx | r60xxynx | ||
| r60xxvnx | ||||||
- ：低噪声规格
- ：高速开关规格
- ：内置高速二极管
- ：第4代通用型
- ：内置第4代高速二极管
●有6种封装选择
| 系列 | 封装 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 表面贴装型 | 引脚插入型 | ||||||
| new sot-223-3 | to-252 [dpak] |
lpts [d2pak] |
to-220ab | to-220fm | to-3pf | to-247 | |
| 800v | r80xxknd3 | r80xxknz4 | |||||
| 650v | r65xxend3 | r65xxenj | r65xxenx | r65xxenz | r65xxenz4 | ||
| r65xxknd3 | r65xxknx3 | ||||||
| 600v gen.4 new |
r60xxynd3 | r60xxynx3 | r60xxynx | r60xxynz | r60xxynz4 | ||
| r60xxvnd3 | r60xxvnx3 | r60xxvnx | r60xxvnz | r60xxvnz4 | |||
| 600v gen.3 |
r600xend4 | r60xxend3 | r60xxenj | r60xxenx | r60xxenz | r60xxenz4 | |
| r600xknd4 | r60xxknd3 | r60xxknj | r60xxknx | r60xxknz | r60xxknz4 | ||
| r600xjnd4 | r60xxjnz4 | ||||||
- ：低噪声规格
- ：高速开关规格
- ：内置高速二极管
- ：第4代 通用型
- ：内置第4代高速二极管prestomos™
●在广泛的应用中都有采用，不仅在特性方面，还在质量和支持方面也受到了高度评价
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宣传单
何谓prestomos™
prestomos™是采用罗姆专利技术将super junction-mosfet的寄生二极管加速化的产品。通常，super junction-mosfet的寄生二极管因其特有的内部结构，比一般的mosfet，恢复性能差。因此，以往super junction-mosfet不能用于使用寄生二极管的电路，如逆变器和桥式pfc电路。
prestomos™已加速寄生二极管，可以克服super junction-mosfet的弱点，有助于使用电机驱动用逆变器或桥式电路的应用大幅节能。
由于近年的来节能趋势，用prestomos™替代广泛用于逆变器的igbt frd组合的例子正在增加。由于具有出色的恢复特性，有助于应用的节能。
第4代 prestomos™ r60xxvnx系列
推荐应用
- 电机驱动
- 节能型白色家电
- 充电桩
- 太阳能电池功率调节器
- 各种电源电路（llc/图腾柱pfc/全桥）
业内出色的反向恢复特性
rohm的prestomos™系列采用rohm自有的专利技术，提高了寄生二极管的反应速度，使关键特性——反向恢复时间（trr）达到了业界超快水平。通常，该特性会因微细化和升级换代而受损，但rohm的第4代prestomos™ r60xxvnx系列通过优化结构，在保持业界超快trr的同时，还改善了导通电阻等基本性能。 业界超快的trr特性可以降低电机和逆变器电路的开关损耗。双脉冲测试被广泛用作确认这些损耗的方法。（如欲了解双脉冲测试的概要，请参考《应用指南》。）下图是通过双脉冲测试确认单脉冲导通时的开关损耗的结果。从结果可以看出，rohm的prestomos™ r60xxvnx系列的导通损耗比rohm以往产品和其他公司产品更低。下图是rohm的prestomos™ r60xxvnx系列实际用于同步整流升压电路时的效率确认结果。与上述双脉冲测试中确认的损耗关系类似，实机评测结果表明，r60xxvnx系列的损耗更低，效率更高。
-
■双脉冲测试的开关损耗确认结果
* 用于开关比较的产品均为导通电阻100mω级的产品，确认它们在漏极电流为15a的条件下改变栅极电阻后导通时的开关损耗。曲线图的横轴使用的是与各栅极电阻对应的导通时的电流变化量dif/dt的值。 -
■使用同步整流升压电路的效率比较结果
* 所有用于实机对比的产品均为导通电阻60mω级的产品，在环境温度25℃、输入电压220v、输出电压400v、l=500μh、频率70khz、关断时的vds过冲条件下，对它们进行了测试。
可以实现高耐压和低导通电阻的超级结结构，通过结构的进一步微细化可提高性能。
通过结构的微细化提高了电流密度，与以往产品（r60xxknx）相比，成功地将性能指数ron・a降低了35%，将ron・qgd降低了30%。因此，在导通电阻与以往产品相同的情况下，可以进一步降低开关损耗，有助于应用产品更加节能。
第4代 super junction mosfet r60xxynx系列
| package | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| to-252 | to-220fm | to-220ab | to-3pf | to-247 | toll | ||
| vds (v) |
ron typ (mω) vgs=15v |
||||||
| 600 | 324 | ☆r6010ynd3 | ☆r6010ynx | newr6010ynx3 | |||
| 215 | newr6014ynd3 | newr6014ynx | newr6014ynx3 | ||||
| 154 | newr6020ynx | newr6020ynx3 | newr6020ynz4 | ☆r6020ynj2 | |||
| 137 | newr6022ynx | newr6022ynx3 | newr6022ynz4 | ☆r6022ynj2 | |||
| 112 | newr6027ynx | newr6027ynx3 | newr6027ynz4 | ☆r6027ynj2 | |||
| 80 | ☆r6038ynx | newr6038ynx3 | newr6038ynz4 | ☆r6038ynj2 | |||
| 68 | newr6049ynx | newr6049ynx3 | newr6049ynz4 | ☆r6049ynj2 | |||
| 57 | ☆r6055ynj2 | ||||||
| 50 | newr6061ynx | ☆r6061ynx3 | newr6061ynz4 | ||||
| 36 | newr6086ynz | newr6086ynz4 | |||||
| 21 | ☆r60a4ynz4 | ||||||
推荐应用
・电视机
・服务器
・ups
・光伏功率调节器
・led照明
・各种电源电路（boostpfc [bcm,ccm] /三相viennapfc）
业界超快的开关速度
不仅更加微细化，还通过优化结构实现了业界超快的开关速度，有助于在电流连续模式下的pfc等硬开关型电路中实现更高效率。此外，在热设计和噪声设计过程中调整栅极电阻时，与其他公司产品相比，依然保持优势。
■产品单体的开关损耗
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-
・测试电路
*比较用的产品均为导通电阻50mω级的产品。在漏极电流为10a的条件下，确认关断时的栅极电阻固定为5ω、且改变导通时的栅极电阻时的开关损耗。
与以往产品相比，阵容更加丰富！
对于每种封装，均能提供比以往产品导通电阻更低和支持电流更大的产品。此外，通过在产品阵容中增加to220ab和toll封装产品，将能够进一步满足客户的多样化需求。
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■每种封装的最小导通电阻值大范围更新
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■产品阵容中新增toll封装产品
低噪声规格/高速开关规格
提供两种类型的超级结mosfet，即具有低噪声规格的r6xxxenx系列和具有高速开关规格的r6xxxxknx系列，分别具有600v耐压和650v耐压，并且都具有多种封装类型。
r6xxxenx系列强调易用性，并在噪声应用中实现优异性能。
r6xxxknx系列强调高效率，并在追求高速开关的应用中实现优异性能。
由于r6xxxenx系列和r6xxxknx系列具有相同的导通电阻，因此可以选择适合客户应用的系列。
我们还提供符合高速开关规格的800v产品阵容，实现优异的性能。
- r60xxenx系列 spice模型 download page
- r65xxenx系列 spice模型 download page
- r60xxknx系列 spice模型 download page
- r65xxknx系列 spice模型 download page
- r80xxknx系列 spice模型 download page
低噪声规格r60xxenx/r65xxenx系列
r6xxxenx系列是强调易用性的低噪声产品。
超级结mosfet显著改善了传统平面mosfet的导通电阻和开关性能，作为反作用，通常存在噪声特性劣化的问题。然而，r6xxxenx系列可以通过调整芯片内部的栅极结构，实现低噪声性能，并且可以抑制因噪声引起的损耗。
尤其适用于希望极力降低噪声的音响和照明等应用。
此外，由于低噪声性能与传统的平面mosfet相同，因此可以轻松替换平面mosfet。
高速开关规格r60xxknx/r65xxknx/r80xxknx
r6xxxknx系列是一款强调高效率的高速开关产品。
基于改良低噪声r6xxxenx系列的内部mosfet结构，极大地改善了影响开关速度的gatecharge特性。因此r6xxxenx系列的易用性基本不变，就可通过高速开关实现高效率。
有助于实现pfc和llc等电路的高效率。
我们还提供符合高速开关规格的800v产品阵容，实现优异的性能。
第三代prestomos™ r60xxjnx系列
特点① 快速反向恢复特性
罗姆的prestomos™系列采用罗姆的专利技术，加快了寄生二极管的反应速度，因此具有快速反向恢复时间（trr）。 然而，由于二极管的高速工作，急剧的电流变化可能导致大振荡。
第3代prestomos™ r60xxjnx系列，通过优化结构，反向恢复时不易引起振荡。这样可以简化客户的振荡对策。如果恢复时有振荡问题，请务必试用本产品。
特点② 追求易用性
罗姆的prestomos™系列，适用于电机驱动用逆变器和桥式电路，这些电路需要高短路击穿耐受力和自导通抑制。
短路击穿耐受能力低时，mosfet被击穿的可能性增加，如果发生自导通，则功率损耗变大。
第3代prestomos™ r60xxjnx系列，通过调整内部结构，可以解决这两个问题。
与竞争对手的新一代产品相比，也能保证高短路击穿耐受力，可以更安全地使用。
而且，由于抑制了自导通，可以减少工作时的功率损耗。
第三代prestomos™ r60xxrnx系列
特点 在继承超快反向恢复时间特性的同时实现低噪声
通过改进自有的lifetime控制技术实现了40ns业内超快反向恢复时间，与普通产品相比，其开关损耗降低约30%，有助于进一步降低设备的功率损耗。
另外，通过采用新开发的自有super junction结构，与普通产品相比，与反向恢复时间之间存在权衡关系的噪声也降低了约15db（在rohm测试条件下，比较40mhz时的表现）。有助于减少设备的抗噪声设计工时和部件数量。
※2023年3月 罗姆调查
