同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600v耐压超级结 mosfet “r60xxvnx系列”-凯发k8一触即发

2022年4月7日

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600v耐压超级结 mosfet“prestomos™”产品阵容中又新增了“r60xxvnx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。

产品介绍资料（2.6mb）

近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种需求，rohm对以往的prestomos™产品进行了改进，开发出具有比同等普通产品更低的导通电阻、有助于进一步降低应用产品功耗的新产品。

此次开发的新系列产品采用rohm的新工艺实现了业界超快的反向恢复时间（trr^*1），同时，与反向恢复时间存在此消彼长关系的导通电阻^*2最多也可以比同等的普通产品低20%。在反向恢复时间方面，继承了prestomos™系列产品已经实现的105ns（纳秒）业界超快（与to-220fm同等封装产品相比）反向恢复时间，而且开关时的功率损耗比同等普通产品低约17%。基于这两大特点，与同等的通用产品相比，新系列可大大提高应用产品的效率。

除了上述系列之外，作为标准型600v耐压超级结 mosfet，rohm还开发了具有更低导通电阻的“r60xxynx系列”，此次又新增了两款机型。客户可以根据应用需求选择合适的产品群。

新产品已于2022年1月开始暂以月产10万个（样品价格900日元/个，不含税）的规模投入量产。另外，也已开始通过电商销售，从、等电商平台均可购买。今后，rohm将继续开发抗噪性能更出色的新系列产品，不断扩大超级结 mosfet系列产品的阵容，通过降低各种应用产品的功耗助力解决环境保护等社会问题。

网络销售平台 1枚起售

＜新产品特点＞

1．实现业界超快的反向恢复时间，同时实现业界超低的导通电阻

prestomos™“r60xxvnx系列”通过采用rohm新工艺降低了单位面积的导通电阻。由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻，与同等普通产品相比，最多可减少20%（与to-220fm同等封装产品相比），有助于进一步降低各种应用产品的功耗。

2．具有业界超快的反向恢复时间，开关损耗更低

通常，当工艺向更微细的方向发展时，导通电阻等基本性能会得到改善，但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。而rohm的prestomos™“r60xxvnx系列”采用自有的速度提升技术，实现了比同等普通产品更低的导通电阻的同时，还实现了业界超快的105ns（纳秒）反向恢复时间（与to-220fm同等封装产品比较）。由于抑制了额外的电流量，因此与同等的普通产品相比，开关过程中的功率损耗可以降低约17%。相比之下，包括“r60xxynx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300～400ns（纳秒）。

由于上述两大特点，在搭载了追求高效率的同步整流升压电路^*3的评估板上，与导通电阻60mω级的产品进行比较时，“r60xxvnx系列”表现出比同等普通产品更出色的效率，非常有助于降低光伏逆变器和不间断电源（ups）等应用的功耗。

＜产品阵容＞

r60xxvnx系列（prestomos™型）

耐压 v_ds [v]	导通电阻 r_on typ. [mω] v_gs=15v	反向恢复时间 trr typ. [ns]	封装
			to-252 ＜dpak＞	（to-220fm）＜to-220fp＞	to-220ab	to-247ad （to-247）

600	250	65	☆ r6013vnd3	☆ r6013vnx
	180	68		r6018vnx
	130	80		r6024vnx	r6024vnx3
	95	92		r6035vnx	r6035vnx3
	59	112		☆ r6055vnx	☆ r6055vnx3	r6055vnz4
	42	125				r6077vnz4
	22	167				☆ r60a4vnz4
☆: 开发中		封装采用jedec标准。（）内表示rohm封装，〈〉内表示general代码。

r60xxynx系列（标准型）

耐压 v_ds [v]	导通电阻 r_on typ. [mω] v_gs=12v	反向恢复时间 trr typ. [ns]	封装
			to-252 ＜dpak＞	（to-220fm）＜to-220fp＞	to-220ab	to-3pf	to-247ad （to-247）	mo-299 （toll）

600	324	200～600	☆ r6010ynd3	☆ r6010ynx	☆ r6010ynx3
	215		☆ r6014ynd3	r6014ynx	☆ r6014ynx3
	154			r6020ynx	☆ r6020ynx3		☆ r6020ynz4	☆ r6020ynj2
	137			☆ r6022ynx	☆ r6022ynx3		☆ r6022ynz4	☆ r6022ynj2
	112			☆ r6027ynx	☆ r6027ynx3		☆ r6027ynz4	☆ r6027ynj2
	80			☆ r6038ynx	☆ r6038ynx3		☆ r6038ynz4	☆ r6038ynj2
	68			☆ r6049ynx	☆ r6049ynx3		☆ r6049ynz4	☆ r6049ynj2
	50			☆ r6061ynx	☆ r6061ynx3		☆ r6061ynz4
	49							☆ r6063ynj2
	36					☆ r6086ynz	☆ r6086ynz4
	21						☆ r60a4ynz4
☆: 开发中		封装采用jedec标准。（）内表示rohm封装，〈〉内表示general代码。

＜应用示例＞

■电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器（功率调节器）、不间断电源（ups）等
■空调等白色家电
■其他各种设备的电机驱动和电源电路等

＜什么是prestomos™？＞

presto意为“非常快”，是源于意大利语的音乐术语。
prestomos™是采用了rohm自有的lifetime控制技术、并以业界超快的反向恢复时间（trr）著称的功率mosfet。

・prestomos是rohm co., ltd.的商标。

＜用語説明＞

*1) trr：反向恢复时间（reverse recovery time）
内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。

*2) 导通电阻
mosfet导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。

*3) 同步整流升压电路
通常，在由mosfet和二极管组成的升压电路中，用来将二极管改为mosfet以提升效率的电路。由于mosfet导通电阻带来的损耗要小于二极管v_f带来的功率损耗，因此这种电路的效率更高。

＜宣传单＞

＜相关信息＞

特设网页: 实现高速开关和低导通电阻　super junction mosfe

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