栅极驱动器

栅极驱动器-凯发k8一触即发

采用罗姆独创的微细加工技术,开发出片上变压器工艺。进而成功开发出小型、内置绝缘元件的栅极驱动器。

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power deviceisolation
voltage
driving
capability
(iout)
functionoperation voltagenegative voltagemiller clampuvlo [on/off]short circuit
protection (note 2)
desat (note 2)soft turn off
after short detection
temp monitorthermal shut down
with ext. sensor
packageevaluation kit
simplecomplex
automotive
~gen3 sic
drive voltage
over 18v
3.75k
vrms
±4abm61s40rfv-c-16 to 20v-built-in14.5v/15.0v-----ssop-b10w
bm61s41rfv-c16 to 24v-built-in14.5v/15.0v-----ssop-b10w
sic,
igbt,
si-mosfet
2.5k
vrms
±9-bm60060fv-c13.5 to 24v-built-in11.5v/12.5v--ssop-b28w-
±5a-bm60055fv-c9 to 24v-built-in
(note 1)
--ssop-b28w-
± 4.5a-bm6109fv-c14 to 18v-ext.
mosfet
12.0v/12.5v--ssop-b28w-
±3a-bm6101fv-c14 to 24v-12 to 0vext.
mosfet
11.5v/12.5v-ssop-b20w-
bm6102fv-c14 to 20v- ext.
mosfet
11.5v/12.5v-ssop-b20w-
bm6104fv-c10 to 24v-12 to 0v ext.
mosfet
9.05v/9.55v--ssop-b20w-
bm60052afv-c10 to 20v-12 to 0vbuilt-in
(note 1)
--ssop-b28w-
bm60054afv-c10 to 20v-12 to 0vbuilt-in
(note 1)
-ssop-b28w-
si-mosfet3.75k
vrms
±4abm61m41rfv-c-9 to 24v-built-in7.4v/7.8v-----ssop-b10w
industry
sic
igbt
si-mosfet
2.5k
vrms
±3a-bm6108fv-lb10 to 24v-12v to 0vext.
mosfet
9.05v/9.55v--ssop-b20w-

(note 1) off/on voltage is adjustable by external settings
(note 2) either of scp and desat function can be used

参数搜索

 
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评估板

 

为了确保功率器件能够安全且充分发挥性能地工作,栅极驱动器ic的选择十分重要。
rohm的栅极驱动器ic评估板具有以下产品阵容。
考虑到栅极驱动器ic评估板需要连接到设置板上的功率器件以进行评估,所以减小了基板面积。
单通道栅极驱动器ic的评估板除了有1pcs实装品之外,还提供适用于板桥电路的2pcs实装品。
此外 ,通过启用栅极驱动器ic用的spice模型,还可以通过simulation进行应用验证。

使用案例

开发板上栅极驱动器ic的替换案例

栅极驱动器ic评估板可用于替换开发板上的栅极驱动器ic。
不同封装和引脚的栅极驱动器ic很难在开发板上进行直接替换。
栅极驱动器ic评估板的电源、信号输入输出端子的布局考虑到与开发板的布线链接,也可在评估板上使用需要调整的栅极电阻。

galvanic isolation series [isolation voltage: 3.75kvrms]

评估板 栅极驱动器ic 评估板
evk name application gate drive
voltage,
current
gate drive
channel
电路板
概要
board size
[mm]
parts name ic概要 spice
模型
评估板
使用指南
购买
bm61s40rfv-evk001 sic mosfet
gate drive
16 to 20v,
4a
(note 1)
1ch 概要 33 x 16 bm61s40rfv-c
概要
网上代理店
bm61s40rfv-evk002 2ch 33 x 32 网上代理店
bm61s41rfv-evk001 sic mosfet
gate drive
16 to 24v,
4a
1ch 33 x 16 bm61s41rfv-c 网上代理店
bm61s41rfv-evk002 2ch 33 x 32 网上代理店
bm61m41rfv-evk001 si mosfet
gate drive
9 to 24v,
4a
1ch 33 x 16 bm61m41rfv-c 网上代理店
bm61m41rfv-evk002 2ch 33 x 32 网上代理店

(note 1) max gate drive voltage is protected by over voltage protection

评估板

galvanic isolation series在对应基础绝缘的应用方面拥有单通道驱动产品,以及可以应用在板桥电路上的双通道驱动产品。

1ch galvanic isolation gate driver board (1pcs)

使用指南

相关产品

2ch galvanic isolation gate driver board (2pcs)

使用指南

相关产品

栅极驱动器ic

small footprint for 8mm creepage distance

  • 1ch栅极驱动器
  • small package: 3.5mm x 10.2mm x 1.9mm
  • 基础绝缘
  • miller clamp 内置电路
  • i/o delay time: 65ns (max)
  • 通过双输入信号(ina、inb)实现伴有输出逻辑控制、外部噪音的栅极“h”输出防止设计
  • 输入信号电压(note 2): vinh:2.0 v or over / vinl : 0.8v or under

(note 2) 信号输入侧的电源电压范围(vcc1)是与输入信号无关的4.5~5.5v。

truth table

ina
(input)
inb
(input)
out
(output)
l h l
h l h
l l l
h h l

1200v high voltage high and low side driver

评估板 栅极驱动器ic 评估板
evk name application gate drive
voltage,
current
miller clamp 电路板
概要
board size
[mm]
parts name ic概要 spice
模型
评估板
使用指南
购买
bm60212fv-evk001 igbt gate drive
si mosfet gate drive
10 to 24v,
3a
(note 3)
built-in 概要 33 x 21 bm60212fv-c
概要
- 网上
代理店
bm60213fv-evk001 - bm60213fv-c - 网上
代理店

(note 3) power supply voltage is from 10 to 24v relative to low-side and input-side ground.

评估板

仅需与应用链接,即可简单替换。

使用指南

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栅极驱动器ic

  • turn on/off time: 75ns (max)
  • 通过三输入信号(en、ina、inb)实现输出逻辑控制。通过外部噪音实现高侧、低侧同时on防止设计
  • package: 6.50mm x 8.10mm x 2.01mm
  • miller clamp内置电路 [仅bm60212fv-c]
  • 输入信号电压(note 4): vinh : 2.0 v or over / vinl : 0.8v or under
  • gate drive voltage:10 to 24v
  • gate drive current:3a

(note 4) 电源电压范围(vccb)10~24v。

truth table

ena
(input)
ina
(input)
inb
(input)
outa
(output)
outb
(output)
l x x l l
h l l l l
h l h l h
h h l h l
h h h l l

power device lineup