rs6n120bh is a power mosfet with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

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本产品不建议使用于车载设备。

主要规格

 
型号 | rs6n120bhtb1
status | 推荐品
封装 | hsop8 (single)
包装数量 | 2500
最小独立包装数量 | 2500
包装形态 | taping
rohs |

特性:

package code

hsop8s (5x6)

applications

switching

number of terminal

8

polarity

nch

drain-source voltage vdss[v]

80

drain current id[a]

135

rds(on)[ω] vgs=6v(typ.)

0.0035

rds(on)[ω] vgs=10v(typ.)

0.0028

rds(on)[ω] vgs=drive (typ.)

0.0035

total gate charge qg[nc]

33

power dissipation (pd)[w]

104

drive voltage[v]

6

trr (typ.)[ns]

68

mounting style

surface mount

storage temperature (min.)[°c]

-55

storage temperature (max.)[°c]

150

package size [mm]

4.9x6 (t=1.1)

特点:

  • low on - resistance
  • high power package (hsop8)
  • pb-free plating ; rohs compliant
  • halogen free
  • 100% rg and uis tested

产品概要

 

背景

近年来,全球电力需求量持续增长,如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题,这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中,中等耐压的mosfet被广泛应用于各种电路中,制造商要求进一步降低功耗。另一方面,“导通电阻”和“qgd”是引起mosfet功率损耗的两项主要参数,但对于普通的mosfet而言,由于导通电阻与芯片尺寸成反比,qgd会成比例增加,因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题,rohm通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施,改善了两者之间的权衡关系。

概要

“rs6xxxxbx / rh6xxxxbx系列”不仅利用微细化工艺提高了器件性能,还通过采用低阻值铜夹片连接的hsop8封装和hsmt8封装,实现了仅2.1mω的业界超低导通电阻(ron),相比以往产品,导通电阻降低了50%。另外,通过改进栅极结构,qgd(栅-漏电荷,通常与导通电阻之间存在权衡关系)也比以往产品减少了约40%(ron和qgd均为耐压60v的hsop8封装产品之间的比较)。这可以降低开关损耗和导通损耗,非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如,当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时,产品在稳态工作时的输出电流范围内,实现了业界超高的电源效率(峰值时高达约95%)。

应用示例

◇通信基站和服务器用的电源
◇工业和消费电子产品用的电机
以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。

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