rh6p040bh-凯发k8一触即发
nch 100v 40a, hsmt8, power mosfet主要规格
特性：
package code
hsmt8 (3.3x3.3)
number of terminal
8
polarity
nch
drain-source voltage vdss[v]
100
drain current id[a]
40
rds(on)[ω] vgs=6v(typ.)
0.0156
rds(on)[ω] vgs=10v(typ.)
0.012
rds(on)[ω] vgs=drive (typ.)
0.0156
total gate charge qg[nc]
10.9
power dissipation (pd)[w]
59
drive voltage[v]
6
trr (typ.)[ns]
48
mounting style
surface mount
storage temperature (min.)[°c]
-55
storage temperature (max.)[°c]
150
package size [mm]
3.3x3.3 (t=0.75)
特点：
- low on - resistance
- high power package(hsmt8)
- pb-free plating ; rohs compliant
- halogen free
- 100% rg and uis tested
产品概要
背景
近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的mosfet被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“qgd”是引起mosfet功率损耗的两项主要参数，但对于普通的mosfet而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，rohm通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。
概要
“rs6xxxxbx / rh6xxxxbx系列”不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的hsop8封装和hsmt8封装，实现了仅2.1mω的业界超低导通电阻（ron），相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，qgd（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（ron和qgd均为耐压60v的hsop8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，产品在稳态工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。
应用示例
◇通信基站和服务器用的电源
◇工业和消费电子产品用的电机
以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。
