hp8me5 is a low on-resistance mosfet ideal for switching applications.

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
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主要规格

 
型号 | hp8me5tb1
status | 推荐品
封装 | hsop8 (symmetry dual)
包装数量 | 2500
最小独立包装数量 | 2500
包装形态 | taping
rohs |

特性:

package code

hsop8d (5x6)

number of terminal

8

polarity

nch pch

drain-source voltage vdss[v]

100

drain current id[a]

8.5

rds(on)[ω] vgs=4.5v(typ.)

0.2

rds(on)[ω] vgs=10v(typ.)

0.148

rds(on)[ω] vgs=drive (typ.)

0.2

total gate charge qg[nc]

1.7

power dissipation (pd)[w]

20

drive voltage[v]

4.5

mounting style

surface mount

storage temperature (min.)[°c]

-55

storage temperature (max.)[°c]

150

package size [mm]

4.9x6 (t=1.1)

特点:

  • low on - resistance
  • small surface mount package (hsop8)
  • pb-free lead plating ; rohs compliant
  • halogen free

产品概要

 

背景

近年来,在通信基站和工业设备领域,为了降低电流值、提高效率,以往的12v和24v系统逐渐被转换为48v系统,电源电压呈提高趋势。此外,用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48v系统电源,考虑到电压波动,起到开关作用的mosfet需要具备100v的耐压能力。而另一方面,提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高,效率会变差,因此,如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻,是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个mosfet进行驱动,为了节省空间,对于将两枚芯片一体化封装的双mosfet的需求增加。

概要

通过采用rohm新工艺和背面散热封装,实现了业界超低的导通电阻(ron)。另外,通过将两枚芯片一体化封装,可以减少安装面积,有助于应用设备进一步节省空间。

应用示例

・通信基站用风扇电机
・fa设备等工业设备用风扇电机
・数据中心等服务器用风扇电机

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