gnp1070tc-凯发k8一触即发
ecogan™, 650v 20a dfn8080k, e-mode gallium-nitride(gan) fetgnp1070tc-z is an 650v gan hemt which has achieved the industry's highest class fom (ron*ciss、ron*coss). it is a product of the ecogan™ series that contributes to power conversion efficiency and size reduction by making the best use of low on resistance and high-speed switching. esd protection function is built in for high-reliability design. in addition, the highly versatile packages provide excellent heat dissipation and facilitates mounting.
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
vds [v]
650
ids [a]
20
vgs rating [v]
6
rds(on) [mω]
70
qg [nc]
5.2
dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=0.9)
特点：
- 650v e-mode gan fet
- 70mω resistance
- 5.2nc gate charge
产品概要
背景
据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，sic（silicon carbide：碳化硅）和gan等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，rohm将栅极耐压高达8v的150v耐压gan hemt投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出gan性能的控制ic技术。此次，为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，rohm又推出器件性能达到业界超高水平的650v耐压gan hemt。
概要
产品是rohm与delta electronics, inc.的子公司——专注于gan元器件开发的ancora semiconductors inc.联合开发而成的，在650v gan hemt的器件性能指数（rds（on）×ciss / rds（on）×coss）方面，达到了业界超高水平。 因此，产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，产品还内置esd保护器件，将抗静电能力提高至3.5kv，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此新产品还具有gan hemt器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。
应用示例
包括服务器和ac适配器在内的各种工业设备和消费电子领域的电源系统
