gnp1070tc-z is an 650v gan hemt which has achieved the industry's highest class fom (ron*ciss、ron*coss). it is a product of the ecogan™ series that contributes to power conversion efficiency and size reduction by making the best use of low on resistance and high-speed switching. esd protection function is built in for high-reliability design. in addition, the highly versatile packages provide excellent heat dissipation and facilitates mounting.

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本产品不建议使用于车载设备。

主要规格

 
型号 | gnp1070tc-ze2
status | 推荐品
封装 | dfn8080k
包装数量 | 3500
最小独立包装数量 | 3500
包装形态 | taping
rohs |

特性:

vds [v]

650

ids [a]

20

vgs rating [v]

6

rds(on) [mω]

70

qg [nc]

5.2

dimensions [mm]

8.0x8.0 (t=0.9)

特点:

  • 650v e-mode gan fet
  • 70mω resistance
  • 5.2nc gate charge

产品概要

 

背景

据悉,电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,sic(silicon carbide:碳化硅)和gan等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年,rohm将栅极耐压高达8v的150v耐压gan hemt投入量产;2023年3月,又确立了能够更大程度地发挥出gan性能的控制ic技术。此次,为了助力各种电源系统的效率提升和小型化,rohm又推出器件性能达到业界超高水平的650v耐压gan hemt。

概要

产品是rohm与delta electronics, inc.的子公司——专注于gan元器件开发的ancora semiconductors inc.联合开发而成的,在650v gan hemt的器件性能指数(rds(on)×ciss / rds(on)×coss)方面,达到了业界超高水平。 因此,产品可以大大降低开关损耗,从而能够进一步提高电源系统的效率。另外,产品还内置esd保护器件,将抗静电能力提高至3.5kv,这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此新产品还具有gan hemt器件的优势——高速开关工作,从而有助于外围元器件的小型化。

应用示例

包括服务器和ac适配器在内的各种工业设备和消费电子领域的电源系统

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