gan hemt-凯发k8一触即发

gan（氮化镓）是一种化合物半导体材料，作为下一代功率器件用的材料被寄予厚望。与以往的si器件相比，其开关性能和高频性能更加出色，因而在市场上的应用日益广泛。
不仅如此，其导通电阻也低于si器件，有望助力众多应用实现更低功耗和小型化。

150v gan hemt

rohm成功地将最大栅-源额定电压值提高至8v，产品非常适用于包括基站和数据中心在内的众多工业设备。

650v gan hemt

作为650v耐压的gan器件，实现了业内出色的fom（figure of merit），有助于提高电源效率，还可大大降低开关损耗，助力各种电源系统进一步提高效率。