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sic-mosfet串联时,应注意哪些?
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・上侧元器件接地绝缘只能保证绝缘耐压。
・需要串联数栅极电压用浮动电源。
・串联时,导通电阻的温度系数变为正,为防止热失控,请考虑产品偏差和充分的电流降额。
・串联后作为高耐压单开关使用时,推荐并列插入大电阻进行适当分压。
・若不符合开关时序,则将破坏耐压。
products:
silicon-carbide (sic) power devices
,
sic mosfets
,
sic mosfet bare die
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