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    • 确认各特性的实际测量值时，请参考datasheet中记载的特性图。
      • faq id: 1820
    • 随机失效就是在用户使用过程中，存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
      eeprom的存储单元，改写次数是有限制的（rohm的产品最多可改写100万次）。
      在此限制次数内，保证不会出现随机失效，这样的保证是哪个公司都没有的（出厂时确认所有bit都没有问题）。
      为了降低随机失效率，rohm采用 w-cell（双单元） 结构，实现了数据的高可靠性。
      • faq id: 7
    • 相对于br25h-wc系列而言，br25h-2c系列对数据保存特性以及工作速度等方面进行了改善，虽然可以通过高端兼容、相同功能进行替换，但还是请根据实际用途做好充分确认。请参考比较资料。
      相关链接：
      • faq id: 1800
    • 从br35h-wc系列到br25h-2c系列追加的功能有以下3点。
      追加功能端子
      将nc端子变更成保持（holdb）端子、写保护（wpb）端子
      在状态寄存器中追加wpen、bp1、bp0（3bit）
      wpen （写保护使能）: wpb端子的有效/无效设定（仅8kbit以上的产品）
      bp1、bp0 （块保护）:写入禁止范围设定
      追加写入状态寄存器指令
      追加到状态寄存器的3bit使用eeprom单元，可以通过指令写入。如果未使用holdb、wpb端子，请对vcc进行上拉处理（无需电阻）。在特性方面，改善了数据保存特性、改写次数、写入时间，并具有高端兼容性，可直接替换。请参考比较资料。
      相关链接：
      • faq id: 1781
    • 请遵守datasheet中所记载的电源启动时间及电压的规定。
      在vcc完全上升之前，请将输入端子保持以下状态。
      • microwire: 将cs端子下拉成gnd （对象产品: br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列）
      • spi: 将csb端子上拉成vcc （对象产品: br25g-3/br25h-2c/br25h-2ac/br25a-3m系列）
      • i2c: 将sda设为“h”，且将scl设成“h”或“l” （对象产品: br24g-3/br24g-3a/br24a-wm/br24t-3am系列）
      • faq id: 1797
    • 防止低电压误写入电路（lvcc电路）就会工作，取消写指令，避免错误写入。
      电源上升时注意事项　使电源上升到“ power on reset（p.o.r电路）”工作。

      目标产品： br24lxx series, br25lxx0 series, br93lxx series
      • faq id: 13
    • tpd的规定就是从sck的下降沿到so的上升沿，或者是sck的下降沿到so下降沿的时间。

      对象产品：br25g-3/br25h-2c/br25h-2ac/br25a-3m系列

      • faq id: 1826
    • br25h128-2c和br25h640-2c的电路结构虽然相同，但br25h128-2c的芯片尺寸较大，配线延迟也较大，因此响应时间更长。
      • faq id: 1810
    • so输出为cmos结构，而非漏极开路。

      对象产品：br25g-3/br25h-2c/br25h-2ac/br25a-3m系列

      • faq id: 1817
    • 每bit保证可改写100万次。
      没有整片ic的可改写次数。
      注1)可改写次数与工作温度条件有关。实际可改写次数数据可另外通过营业部门了解。
      注2)可改写次数与数据保持年数无关。
      • faq id: 17
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