常见问题 | 罗姆半导体集团 -凯发k8一触即发
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write (start / execute / time / busy state)
write (page / all addresses)
write (enable / disable / protect)
reading data
memory area: capacity and bit
command and opcode
power-on reset (por)
clock
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multiple connection or cascade connection
initial value
parasitic capacitance of the terminal
reduced voltage detection (uvlo / lvcc)
operating frequency
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确认各特性的实际测量值时,请参考datasheet中记载的特性图。
faq id: 1820
随机失效就是在用户使用过程中,存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
eeprom的存储单元,改写次数是有限制的(rohm的产品最多可改写100万次)。
在此限制次数内,保证不会出现随机失效,这样的保证是哪个公司都没有的(出厂时确认所有bit都没有问题)。
为了降低随机失效率,rohm采用 w-cell(双单元) 结构,实现了数据的高可靠性。
faq id: 7
du端子已连接到芯片的测试电路。端子处理请参考下表。端子处理时,不需要vcc/gnd的上拉/下拉电阻。nc端子未连接到芯片。
pin name
input equivalent circuit
handling of unused pin
description
du
open
gnd
vcc
unused terminals may be set to high, low, or open.
nc
open
gnd
vcc
nc pins are not connected internally.
对象产品:br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列
faq id: 25
cs端子[需要下拉电阻]为防止电源在on/off时的cs不稳定引起的误写入,请在cs端子处连接下拉电阻。sk、di端子[无需上拉/下拉电阻]如将下拉电阻和cs端子连接,电源on/off时确定“l”,sk、di端子就会被忽略,这样就无需特别的下拉电阻。do 输出 (在数据读取和写入指令后输出ready/busy时除外“high-z”)[无需上拉/下拉电阻]do为“high-z”,但指令侧没有影响时,不需要上拉/下拉电阻。[需要上拉/下拉电阻]do为“high-z”,但如果指令侧有可能会误动作,需要上拉/下拉电阻。对象产品:br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列
faq id: 1808
请遵守datasheet中所记载的电源启动时间及电压的规定。
在vcc完全上升之前,请将输入端子保持以下状态。
microwire: 将cs端子下拉成gnd (对象产品: br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列)
spi: 将csb端子上拉成vcc (对象产品: br25g-3/br25h-2c/br25h-2ac/br25a-3m系列)
i2c: 将sda设为“h”,且将scl设成“h”或“l” (对象产品: br24g-3/br24g-3a/br24a-wm/br24t-3am系列)
faq id: 1797
防止低电压误写入电路(lv
cc
电路)就会工作,取消写指令,避免错误写入。
电源上升时注意事项 使电源上升到“ power on reset(p.o.r电路)”工作。
目标产品: br24lxx series, br25lxx0 series, br93lxx series
faq id: 13
microwire总线为传统的通信方式,为假设ttl电平连接的规格。
对象产品:br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列
faq id: 1819
do输出为cmos结构。不是漏极开路。
对象产品:br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列
faq id: 1840
每bit保证可改写100万次。
没有整片ic的可改写次数。
注1)可改写次数与工作温度条件有关。实际可改写次数数据可另外通过营业部门了解。
注2)可改写次数与数据保持年数无关。
faq id: 17
数据删除也在改写次数之内。
faq id: 1822
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