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    • 确认各特性的实际测量值时,请参考datasheet中记载的特性图。
    • 随机失效就是在用户使用过程中,存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
      eeprom的存储单元,改写次数是有限制的(rohm的产品最多可改写100万次)。
      在此限制次数内,保证不会出现随机失效,这样的保证是哪个公司都没有的(出厂时确认所有bit都没有问题)。
      为了降低随机失效率,rohm采用 w-cell(双单元) 结构,实现了数据的高可靠性。
    • 请遵守datasheet中所记载的电源启动时间及电压的规定。
      在vcc完全上升之前,请将输入端子保持以下状态。
      • microwire: 将cs端子下拉成gnd (对象产品: br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列)
      • spi: 将csb端子上拉成vcc (对象产品: br25g-3/br25h-2c/br25h-2ac/br25a-3m系列)
      • i2c: 将sda设为“h”,且将scl设成“h”或“l” (对象产品: br24g-3/br24g-3a/br24a-wm/br24t-3am系列)
    • 防止低电压误写入电路(lvcc电路)就会工作,取消写指令,避免错误写入。
      电源上升时注意事项 使电源上升到“ power on reset(p.o.r电路)”工作。

      目标产品: br24lxx series, br25lxx0 series, br93lxx series
    • 每bit保证可改写100万次。
      没有整片ic的可改写次数。
      注1)可改写次数与工作温度条件有关。实际可改写次数数据可另外通过营业部门了解。
      注2)可改写次数与数据保持年数无关。
    • 如果只限于存储单元的数据保存,则这可以表示连续50年在125℃的温度环境下运行的可靠性,但这并不等同于lsi本身的产品寿命。
    • 写入数据的内容和改写次数及保存年数无关。
    • 环境温度越高,数据改写次数就越少,保存年数越短。除温度之外,没有其他特别因素。产品阵容中也有满足温度保证的产品,请考虑引进。
    • eeprom写入100万次以后,存储单元内的浮置栅就变得难于保存电荷了,迟早会变得无法写入。
      无法注入电荷的单元变成l 。
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