rfn1vwm2s-凯发k8一触即发
200v 1a 14ns, pmde, 超快恢复二极管主要规格
特性：
configuration
single
mounting style
surface mount
number of terminal
2
vrm[v]
200
reverse voltage vr[v]
200
average rectified forward current io[a]
1
ifsm[a]
20
forward voltage vf(max.)[v]
0.93
if @ forward voltage [a]
1
reverse current ir(max.)[ma]
0.001
vr @ reverse current [v]
200
trr(max.)[ns]
25
if @ trr [ma]
0.5
ir @ trr [a]
1
storage temperature (min.)[°c]
-55
storage temperature (max.)[°c]
175
package size [mm]
1.3x2.5 (t=1)
特点：
- low switching loss
- low forward voltage
- high current overload capacity
产品概要
背景
从车载设备到工业设备和消费电子设备的广泛应用中，二极管被广泛用于电路整流、保护和开关用途，为了削减安装面积，要求减小二极管的封装尺寸。此外，在这些应用中，还需要使用更高性能的二极管来降低功耗。而另一方面，当减小二极管的封装尺寸时，背面电极和模塑表面积也会减小，从而会导致散热性变差。对此，rohm的pmde封装通过扩大背面电极和改善散热路径，提高了散热性能。封装小型化的同时，实现与传统封装同等的电气特性。
概要
pmde封装是rohm自有的小型封装，具有与普通sod-323封装相同的焊盘图案。通过改善背面电极和散热路径，用更小的封装尺寸实现了与普通sod-123fl封装（3.5mm×1.6mm）同等的电气特性（电流、耐压等），并且使安装面积减少约42%，有助于电路板的小型化。此外，安装强度约为sod-123fl封装的1.4倍，降低了电路板承受应力时产生裂纹（产品龟裂）的风险，因此安装可靠性更高。
pmde封装的特点
1．以小型封装实现与传统封装同等的性能
通常，半导体元器件将通电时产生的热量散发到空气中或电路板上。但是，当减小封装尺寸时，背面电极和模塑表面积也会随之减小，从而使散热性变差。
对此，pmde封装通过扩大背面电极面积，同时改善了散热路径，将经由引线框架散热改为直接散发到电路板上。这使散热性能大幅提升，以更小的尺寸（2.5mm×1.3mm）即可实现与普通sod-123fl封装（3.5mm×1.6mm）同等的电气特性，从而可减少约42%的安装面积，非常适合元器件安装密度不断提高的车载应用。
2．确保比传统封装更高的可靠性
pmde封装通过扩大其背面电极面积，增加了金属部分所占的面积，从而实现了34.8n的贴装强度，约为sod-123fl封装的1.4倍。该优势降低了电路板承受应力时产生裂纹（产品龟裂）的风险，有助于提高可靠性。此外，通过采用将芯片直接夹在框架之间的无线结构，还实现了出色的抗浪涌电流能力（ifsm）。即使在汽车引擎启动和家电运行异常等突发大电流状况下，也不易损坏，高可靠性得到保证。
frd： rfn系列的特点
frd是具有与整流二极管同等的高耐压（～800v）性能、在高频工作时很重要的参数——trr（反向恢复时间）表现出色的二极管。rfn系列用小型pmde封装实现了与以往产品同等的电气特性。
应用示例
- ・引擎ecu
- ・变速箱ecu
- ・电视
- ・adas
- ・空调
- ・车载信息娱乐系统
