rohm开发出采用4引脚封装的sic mosfet “sct3xxx xr”系列-凯发k8一触即发

2019年9月24日

全球知名半导体制造商rohm（总部位于日本京都），开发出6款沟槽栅结构^※1）sic mosfet “sct3xxx xr系列”产品（650v／1200v耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
此次新开发的系列产品采用4引脚封装（to-247-4l），可充分地发挥出sic mosfet本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（to-247n）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。
另外，罗姆也已开始供应sic mosfet评估板“p02sct3040kr-evk-001”，该评估板中配置有非常适用于sic元器件的驱动的rohm栅极驱动器ic（bm6101fv-c）、各种电源ic及分立产品，可为客户提供轻松进行元器件评估的k8凯发的解决方案。
本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量产（样品价格2,100日元起，不含税）。生产基地为rohm apollo co., ltd.（日本福冈）。此外，本系列产品和评估板已于2019年9月起开始网售，可从ameya360、ichub购买。

近年来，随着ai和iot的发展与普及，对云服务的需求日益增加，与此同时，在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展，而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面，以往服务器的功率转换电路中，主要采用的是硅（si）元器件，如今，损耗更低的sic元器件被寄予厚望。特别是采用了to-247-4l封装的sic mosfet，与以往封装相比，可降低开关损耗，因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。
2015年，rohm成功实现沟槽栅结构sic mosfet的量产，并一直致力于先进的产品开发。此次新开发出650v／1200v耐压的低损耗sic mosfet，未来也会继续推进创新型元器件的开发，同时提供包括非常适用于sic驱动的栅极驱动器ic等在内的k8凯发的解决方案，为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。

＜特点＞

采用4引脚封装（to-247-4l），开关损耗降低约35％

在传统的3引脚封装（to-247n）中，源极引脚的电感分量^※2）会引起栅极电压下降，并导致开关速度延迟。
此次，sct3xxx xr系列所采用的4引脚封装（to-247-4l），可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚，因此，可减少电感分量的影响。这样，能够充分地发挥出sic mosfet的高速开关性能，尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。

＜产品阵容＞

sct3xxx xr系列是采用沟槽栅结构的sic mosfet。此次新推出了共6款机型，其中包括650v的3款机型和1200v的3款机型。

品名	漏极-源极间电压 v_ds[v]	漏极-源极间导通电阻 r_ds(on)@25℃ [mω(typ.)]	漏极电流 i_d@25℃ [a]	漏极损耗 p_{d [w]}	工作温度范围 [℃]	封装
	650	30	70	262	-55～ 175	to-247-4l
		60	39	165
		80	30	134
sct3040kr	1200	40	55	262
		80	31	165
		105	24	134

＜应用＞

服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。

＜评估板信息＞

sic mosfet评估板“p02sct3040kr-evk-001”中配备了非常适用于sic元器件驱动的rohm栅极驱动器ic（bm6101fv-c）、各种电源ic及分立产品，可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境，该评估板不仅可以评估to-247-4l封装的产品，还可安装并评估to-247n封装的产品。另外，使用该评估板，可进行双脉冲测试、boost电路、两电平逆变器、同步整流型buck电路等评估。

开始销售时间　2019年9月
评估板型号　　p02sct3040kr-evk-001
网售平台　　　ameya360、ichub
支持页面　　　https://www.rohm.com.cn/power-device-support

＜术语解说＞

※1 沟槽栅结构: 沟槽（trench）意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其侧壁形成mosfet栅极的结构。不存在平面型mosfet在结构上存在的jfet电阻，比平面结构更容易实现微细化，有望实现接近sic材料原本性能的导通电阻。
※2 电感分量: 表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。

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