薄膜压电mems | 代工 | 罗姆半导体集团 -凯发k8一触即发
承接开发和量产工作
主要技术和服务
包括使用了硅晶圆和soi晶圆等的mems器件的工艺规划、高性能压电薄膜的生产制造、压电mems器件的代加工和设计支持等在内，罗姆可提供从试制、开发到量产的全程支持。即使想了解罗姆凯发k8一触即发官网和产品目录中未列出的个别工艺，也欢迎随时联系。
量产和开发生产线
在蓝碧石半导体宫崎工厂，罗姆建设了将自有薄膜压电技术与lsi生产线相融合的6英寸mems生产线。
| 位置 | 宫崎县宫崎市清武町 |
|---|---|
| 无尘车间 | 压电mems专用部分 1,360m2 |
| 清洁度等级 | class 1-1,000 |
| 晶圆直径 | 6英寸 |
| 提供的服务 | 开发样品试制、量产 |
| iso等 | iso9001, iso14001 |
| 开发和量产经验 | 执行器、传感器 |
| 工艺技术 | pzt压电薄膜、双面si加工、晶圆键合 |
从客户咨询到量产的流程
用专用mems生产线进行代工生产，支持从产品试制到量产的整个过程！
*以上流程为通常流程示例，实际流程将根据每个项目具体协商确定。
如需咨询、委托或提出要求，请随时填写咨询页面上的表格与我们联系。
拥有的设备
通过在生产线上配备mems工艺所需的设备和分析工具，能够为各种器件提出工艺建议并实现品质提升。
| 工艺分类 | 设备 |
|---|---|
| 成膜 | |
| 溶胶-凝胶（pzt类） | |
| pe-cvd (sio2、sin) | |
| lp-cvd (sio2、sin、poly-si) | |
| 热氧化炉 | |
| 溅镀（pt、ir、iro2、alcu、ti、tin 等） | |
| ald(atomic layer deposition) (al2o3、sio2、ta2o5) |
|
| 防水涂层成膜 | |
| 光刻 | |
| 涂覆、显影 | |
| mpa (mirror projection aligner) | |
| 双面校准器、ir步进机、i-line步进式光刻机 | |
| 干刻蚀 | |
| 深硅刻蚀 | |
| 层间膜rie装置 | |
| pzt和电极用的icp刻蚀机 | |
| 湿刻蚀 | |
| 硅氧化膜刻蚀 | |
| au离子刻蚀 | |
| 硅各向异性刻蚀 | |
| 晶圆键合 | |
| 树脂键合 | |
| 阳极键合 |
| 工艺分类 | 设备 |
|---|---|
| 减薄 | |
| 全自动晶圆贴膜机 （uv胶膜、热剥离膜、聚酰亚胺膜等） |
|
| 剥离、清洗 | |
| 灰化 | |
| 有机物、聚合物剥离 | |
| 酸洗、清洗机 | |
| 划片等 | |
| 切割、二流体清洗 | |
| 晶圆切割机（circle cut dicer） | |
| 计量相关 | |
| 分析sem、测长sem、离子铣削 | |
| 光学测长仪 | |
| 偏差测量仪 | |
| 可见光/红外光/激光显微镜 | |
| x射线衍射仪 | |
| 激光式位移测量装置 | |
| x射线荧光分析仪 | |
| 接触式台阶仪、光学干涉仪 | |
| 椭偏仪 | |
| 自动外观检测设备（支持正反面穿透晶圆） | |
| 各种电气特性评估装置 （探针台、测试仪） |
工艺能力
即使想了解罗姆凯发k8一触即发官网和产品目录中未列出的个别工艺，也欢迎随时联系。
| 工序 | 工艺规格 | 数值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 光刻 | 最小线宽（使用步进器） 最小线宽（使用校准器） |
1μm 3μm |
|
| 深硅刻蚀 | 侧壁刻蚀倾斜度 刻蚀速率面内均匀性 尺寸精度 |
90±1度 ≤5% ±0.1μm （均取决于pattern） |
可进行电路板过孔加工 可进行正反两面加工 （无缺口） 可进行侧壁蚀刻倾斜度控制 |
| tmah刻蚀 | 深度 | ≤面内5% | 可进行电路板过孔加工 可进行正反两面加工 |
| pzt成膜 | 膜厚精度 | 晶圆内 ±1.0% 晶圆间、批次间 ±2.5% |
掺杂示例（nb、la） |
| pzt刻蚀 | 加工线宽精度 刻蚀速率面内均匀性 |
±1μm ≤5% （pzt厚度~3μm，有侧壁刻蚀倾斜度） |
支持pt stop |
| 溅镀 | 膜厚均匀性 | ≤面内4% | pt、ir、iro2、alcu、ti、tin 等 |
| cvd | 膜厚均匀性 | ≤面内4% | sio2、sin |
| ald | 膜厚均匀性 | ≤面内5% | al2o3、ta2o5、sio2 |
| 树脂键合 | 对准精度 树脂厚度 |
±5μm 1～3μm |
环氧树脂、bcb |
| 阳极键合 | 密封内部压力 | >0.01pa | 硅/玻璃 |
试制和量产业绩示例
基于罗姆在喷头领域的量产业绩和对mems技术的钻研，罗姆目前正在与客户联合开发和试制评估小型、低功耗和高位移执行器产品。
工艺技术示例
pzt薄膜的性能
【pzt stack截面】
罗姆于1998年在全球率先成功实现铁电存储器的量产。
在对硅晶圆使用pzt薄膜方面，拥有多年的经验和技术积累。
罗姆提供的溶胶-凝胶pzt膜是使用自行研发的生产设备成膜的，可实现世界超高水准的压电性能和可靠性。
| 项目 | 值 | 条件 |
|---|---|---|
| 压电常数：e31,f (-c/n) | 19 | 10v/μm |
| 逆压电常数：d31 (-pm/v) | 260 | 10v/μm |
| 介电强度：(v/μm) | >75 | 室温 （受评估电源影响） |
| 绝缘寿命：（年） | >10 | 20v/μm, 105℃, （通过加速试验估算） |
| 循环寿命：（次） | >1x1010 | 10v/μm, 位移减少10% （单极脉冲） |
| 漏电流密度：(a/cm2) | <1x10-7 | 20v/μm |
晶圆级键合技术
【晶圆键合截面】
【晶圆键合截面/台阶上】
罗姆拥有多种硅晶圆键合技术，即使是结构复杂的器件也可以进行晶圆级键合。
*可提供粘合剂涂覆和键合工艺k8凯发的解决方案。
深硅刻蚀
【400μm si贯穿】
【硅晶圆加工】
罗姆拥有多家公司的硅深刻蚀设备（包括自行开发的设备），可为产品提供最佳的硅刻蚀工艺（形状、公差、异物水平、成本）k8凯发的解决方案。
薄晶圆处理技术
【薄硅晶圆】
罗姆自行开发了晶圆运输设备，支持薄硅晶圆相关的工艺和晶圆键合。
【taiko磨削晶圆】
ald保护膜形成
【硅形状截面】
即使在有复杂凹凸形状的器件上，也可以利用*ald形成均匀的保护膜。
*ald：atomic layer deposition（原子层沉积）
保护膜：保护设备免受外部因素（ink、接触造成的磨损、带电等）的影响。
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压电器件的仿真分析
【硅悬臂梁截面】
罗姆可以对压电器件进行有限元仿真，并为各种器件提供优化的结构和工艺k8凯发的解决方案。
