导通电阻-凯发k8一触即发
何谓导通电阻？
mosfet工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （rds(on)）。
数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。
关于导通电阻的电气特性
晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 （vce(sat)） 乘以集电极电流（ic）表示。
- （集电极损耗pc））＝（集电极饱和电压vce(sat) ）x（集电极电流ic）
- mosfet的消耗功率是用漏极源极间导通电阻 （rds(on)） 计算。
mosfet消耗的功率pd用mosfet自身具有的导通电阻乘以漏极电流（id)的平方表示。
- （功率pd）＝（导通电阻rds(on) ） x （漏极电流id）2
- 此功率将变成热量散发出去。
mosfet的导通电阻一般在ω极以下，与一般的晶体管相比，消耗功率小。即发热小，散热对策简单。
如左上图所示，栅极源极间电压越高，导通电阻越小。另外，栅极源极间电压相同的条件下，导通电阻因电流不同而不同。计算功率损耗时，需要考虑栅极源极间电压和漏极电流，选择适合的导通电阻。
另外，如右上图所示，导通电阻因温度变化而变化，因此需要注意这一特性。
导通电阻比较
一般mosfet的芯片尺寸（表面面积）越大，导通电阻越小。
下图显示了不同尺寸的小型封装条件下，罗姆最小导通电阻值的比较。
封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大，因此导通电阻越小。
罗姆针对各种不同的封装尺寸，备有低导通电阻的产品。
选择更大尺寸的封装，导通电阻会更小。
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