何谓总栅极电荷（qg）-凯发k8一触即发
何谓总栅极电荷（qg）？
"总栅极电荷（qg）是指为导通（驱动）mosfet而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。"
单位为库仑（c），总栅极电荷值较大，则导通mosfet所需的电容充电时间变长，开关损耗增加。数值越小，开关损耗（切换损耗）越小，从而可实现高速开关。
总栅极电荷和导通电阻
如上所述，总栅极电荷的值越小，开关损耗越小。而且，导通电阻值越小，工作时的功耗越小。
然而，总栅极电荷和导通电阻的特性处于权衡关系。
通常，mosfet的芯片尺寸（表面积）越小，总电荷量越小，但导通电阻值会变大。
换句话说，开关损耗与工作时的功耗之间存在权衡关系。
动态输入特性
该图为动态输入（qg –vgs）的特性例。
在图中，常温下的漏极侧电源电压（vdd ）和漏极电流（id ）是固定特性， vdd = 300 v ， id = 30a 时所需的最小电荷量约为60nc。此时的栅源电压 （vgs ） 为6.5v。
实际上是在mosfet完全导通的情况下，调整有权衡关系的导通电阻值，从而设定栅源电压（vgs ） 。
此时，可从图表读取设定电压和总栅极电荷（qg）（例如， vgs = 10 v 时为85nc ， vgs = 15v 时为 130nc ）。