sic功率器件 | 电子小知识 | 罗姆半导体集体 -凯发k8一触即发

sic半导体
sic（碳化硅）是一种由si（硅）和c（碳）构成的化合物半导体材料。其绝缘击穿场强度是si的10倍，禁带宽度是si的3倍，基于这些优势，sic作为一种超越si极限的功率元器件材料被寄予厚望。
sic sbd
使用sic可以通过具有高速特点的器件结构——sbd（肖特基势垒二极管）结构实现600v以上的高耐压二极管。因此，用sic sbd替换frd（快速恢复二极管），能够显著减少反向恢复损耗。
sic-mosfet
sic器件的漂移层电阻比si器件低，因此可以通过具有高速器件结构特点的mosfet同时实现高耐压和低阻值。
sic功率模块
搭载了sic-mosfet和sic-sbd的sic功率模块可显著降低由igbt的尾电流和frd的反向恢复电流引起的开关损耗。