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激光二极管的芯片构成-凯发k8一触即发

ld芯片结构

法布里-珀罗型ld是由n/p包层、夹在包层之间的有源层(发光层) 和2片镜片端面构成。

由于包层材料的禁带宽度比有源层宽,因此将载体(电子和空穴)能量性的封闭起来。并且,由于包层材料的折射率比有源层小,因此光也封闭在有源层内。(与光纤的原理相同)

有源层和包层由纳米级可控的外延生长生产,条形(电极)以微米级可控的光刻法制作。

【激光二极管的芯片结构】
法布里-珀罗型ld:
一种最简单的激光二极管的结构。
外延生长:
薄膜结晶生长技术的一种,在原有晶片上进行生长,使之以电路板结晶面一致的结晶排列生长。
光刻法:
一种将涂敷了感光性物质的表面曝光,利用曝光部分和未曝光部分生成图案的技术。

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