igbt(绝缘栅双极晶体管)-凯发k8一触即发

什么是igbt(绝缘栅双极晶体管)？

igbt是　"insulated gate bipolar transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。
igbt被归类为功率半导体元器件晶体管领域。

功率半导体元器件的特点

除了igbt外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有mosfet、bipolar等，它们主要被用作半导体开关。
根据其分别可支持的开关速度，bipolar适用于中速开关，mosfet则适用于高频领域。
igbt是输入部为mosfet结构、输出部为bipolar结构的元器件，通过这两者的复合化，既是使用电子与空穴两种载体的双极元件，同时也是兼顾低饱和电压（与功率mosfet的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。
尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率mosfet，这是igbt的弱点。

mosfet

是指半导体元件的结构为metal（金属）- oxide（半导体氧化物）- semiconductor（半导体）的三层结构的field-effect transistor（场效应晶体管）。

bipolar

是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。