什么是gan功率器件 | 什么是gan功率器件（gan hemt）？| 电子小百科 | rohm co., ltd. -凯发k8一触即发

gan（gallium nitride：氮化镓）是一种化合物半导体，使用这种gan的晶体管是被称为“gan hemt（high electron mobility transistor：高电子迁移率晶体管”的功率器件。
与目前主流的半导体材料si（silicon：硅）相比，采用gan这种材料的功率器件具有导通损耗少（低导通电阻）和高速开关性能优异的特点，能够满足市场对于提高功率转换效率和小型化的需求。
sic（silicon carbide：碳化硅）功率器件支持在高电压条件下高效工作。gan hemt在中等耐压的高频范围已得到日益广泛的应用。
为了更好地激发出gan hemt的性能，rohm提供将gan hemt和栅极驱动器ic一体化封装的power stage ic，而且正在计划开发在此基础上将控制ic也一体化封装的产品。
关于应用，适用于通信基站和数据中心的服务器电源、工业设备用的电机以及ac适配器等众多应用。

si/gan/sic晶体管的分栖共存

功率器件的器件结构和所使用的材料（si/gan/sic）不同，适用的功率容量和工作频段也不同。
一直以来si是半导体器件的主要材料，但由于市场对高频工作和大功率的需求，gan和sic开始受到关注。
与si相比，gan和sic的带隙更宽，在耐压、热导率和电子迁移率方面更具优势，可满足对半导体材料的要求——在高温、大电流、高电压和高频率的环境下工作。
另外，sic mosfet在高电压范围和大电流条件下的特性表现优异，而gan hemt则在中等耐压范围具有出色的介电击穿强度和电子迁移率，可实现低导通电阻和高速开关（高频工作）。
因此，gan hemt在中等耐压高频范围的应用日益广泛。

应用产品的小型化

利用gan hemt的高速开关性能，可将电源电路和电机电路中使用的较大元器件（如线圈和变压器）替换成尺寸更小的元器件，这将非常有助于实现更小、更轻的电源。
例如，采用了gan hemt的ac适配器，体积比采用si mosfet的ac适配器更小。