活动 | 解密罗姆第4代sic mosfet 活动 | 解密罗姆第4代sic mosfet-凯发k8一触即发
03/11/2022
试问，如果有一款最高可让汽车电耗降低10%的sic mosfet摆在你面前，有没有兴趣了解一下？
在汽车领域中，如何进一步改善功率元器件性能始终是重要研究课题。在此方面，罗姆积累了丰富的基础研究和实践经验，并已成功开发出可帮助广大车企降本增效的利器——第4代sic mosfet。
第4代sic mosfet同时支持18v栅源驱动电压（vgs）和更容易处理的15v栅源驱动电压，因此可与igbt一起用来设计驱动电路（栅极驱动电路），极大降低了设计师的操作门槛，并通过大幅降低栅漏电容（cgd），成功使开关损耗比以往产品降低约50％。
值得一提的是，通过进一步改进自有的双沟槽结构，这款sic mosfet还可在不牺牲主驱逆变器等要求的短路耐受时间前提下，大幅降低导通电阻比，实现了业界超低的导通电阻，从而助力车载逆变器和各种开关电源等各种应用更加顺利地走上低功耗、小型化之路。
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